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中子輻射
Semiconductors; Semiconductor quality

中子輻射期間以減少在基體中的少數載流子壽命製造設備的接觸。這期間曝光爆輻射最小化電路閉鎖的概率。

非破壞性債券拉
Semiconductors; Semiconductor quality

拉強調的所有設備或設備從給定的多力這是低於最低拉到的樣本上的電線都強制破壞性債券拉申請限制。

非標準的一部分
Semiconductors; Semiconductor quality

設備採購承建商編寫的規範，而不是編寫規範政府。

n 通道
Semiconductors; Semiconductor quality

在哪個 MOS 電晶體通過橋接擴散兩個相鄰 N 型 （源和排水管） 用電介質 (門) 形成的 MOS 過程。源和基體都接地和正電壓應用於門，負電荷 （N-通道） 導電片材時是在表面下電介質基體中創建的。 ...

氧化隔離
Semiconductors; Semiconductor quality

分離的電路元件半導體器件通過建設的一種屏障氧化物之間的元素 （不與介質隔離，隔離傳遞完全根據電路元素相混淆。

包裝密度
Semiconductors; Semiconductor quality

積體電路、 半導體晶片的尺寸，單位面積的元素的數目經常表示門等效項的數目。

並行測試
Semiconductors; Semiconductor quality

測試的設備的數量在同一時間 （通常通過在介面與測試儀的印刷電路板上安裝的設備來實現） 而不串列測試的一次測試一個設備。

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